如何减少噪声

用于噪音减少影响的表达式局部，即在IC附近放置一个电容器该设备是在部分中按比例进行开发的高于功率的SMT电容器互连电感接地平面到平面之间的表面，以及SMT电容器和IC过孔之间的相互耦合。这个方程它是与频率无关的，即表明本地去耦电容器在其串联谐振频率以外的范围内。频率无关行为展示在第三部分进行实验，以及比较建模与测量。封闭式表达式以求值电感和互耦参数为在第四节中给出。显示了局部解耦行为并讨论了三种不同类型的电路板几何形状第五节中的闭式表达式与全波建模。直流电源总线的设计意义在第六节中讨论。本地去耦电容器，即SMT去耦电容器，位于IC器件的电源/接地引脚附近，高频电源总线的噪声。本地去耦电容器在千兆赫兹以下可能范围。启东SMT贴片加工去耦电容器，可以200 MHz的频率受寄生条件的限制与互连和封装相关的电感电容器。这项工作致力于减少从噪声源切换电路到接收器的噪声传输通过检查以下性能来PCB电源总线上的电压PCB上的SMT去耦电容器。这项工作并未解决减少噪声源本身的问题（IC开关电路），这取决于IC的封装电感。对局部去耦的这种噪声进行了建模使用带有电路提取的混合势积分方程公式。发现与案例相比如果没有本地去耦，则包含本地去耦会减少电源总线上两个端口之间的距离，下降大致与频率无关100 MHz至2 GHz。混合集总/分布式电路模型是根据物理学建立的。