测试设备的性能

我们用两个设备B和C说明了近藤相关性和导性之间的竞争，其中近藤温度分别比Tc大得多和低得多。启东SMT贴片加工在设备B的正常状态下，观察到库仑加能Eadd> 80 meV与相当强的引线耦合共存，转化为大近藤共振，近藤温度TK = 14 K 。在导线的超导状态下，超导不会抑藤共振，并且超导特征（例如，在Vds =±2Δ0/ e处的相干峰）会叠加在其顶部。在其他类型的验证TK≫Tc的QD设备中，这种行为是可预测的[13,23]，先前已观察到[24,25]。相反的TK <Tc由较弱耦合的器件C表示，该器件类似地显示出库仑阻塞和近藤共振模式，但TK = 0.7 K低得多。在导状态下，近藤峰在费米被摧毁13,24。有趣的是，在该库仑菱形，对应于奇数的占有数，即对应于由电子屏蔽的局部磁矩，在Vds =±2Δ/ e处，差分电导不是较大。此外，观察到微分电导的符号反转，其在简并点附近较为。正如大型导量子点系统中已经报道的那样，这种负微分电导是费米的黄金法则应用于导引线的DOS，而DOS则与类似QD的三角函数的DOS相混淆。在施加磁场的作用下，导间隙的逐渐减小重新建立了近藤共振对于磁场B>Bc≈400mT，共振为塞曼分裂，分裂能量为EZ =±gΔSμB（B-Bc）。此处，g是电子Landé，ΔS是两个自旋态之间的差，μB是玻尔磁子。当ΔS= 1时，沿着虚线给出的较佳线性拟合在这里找到g = 1.84±0.2。