使用针对和开发的封闭式表达式，由于局部去耦电容器而导致的平均下降为使用估算中所示的测试板，其中nH如前所述。使用和分别为1.51和1.18 nH。耦合系数由获得。计算和测量结果在表III中进行比较。两者之间的区别很多的测量和估计结果约为1 dB案件。这种差异部分是由于中的假设部分是由于可能的测量误差。启东SMT贴片加工对于典型的工程设计。五，讨论在中，是与本地去耦电容器。它是电源/接地层上方与电容器封装之间的互连电感。加上封装的寄生电感。双面测试板只是封装的寄生电感。但是，在实际的多层PCB设计中，通常还将包括额外的互连电感。此值对本地去耦收益的影响将是在本节中进一步讨论。局部去耦的情况是让去耦电容器共享一个公共通孔与IC电源或接地引脚相连。在这种情况下，通孔间距为，并实现较大互感耦合。本节还将对此进行讨论。