然后可以从中提取局部去耦的潜在。相关因素是相互的本地去耦电容器和IC通孔之间的耦合以及互连电感部分的比率高于相对于飞机上的飞机。启东SMT贴片加工平面上方的电感部分由两个部分组成电源/接地层上方的电容器部分对和互连走线以及等效串联电感（ESL）的电容器之间的互感通过电源平面上方的本地去耦电容器平面上方的IC互连被忽略。虽然这通过分解为两个分量可以很容易地解决这个问题，平面之间的互感将占主导。当不是主导时，的比率大于从本地去耦中只能获得很少的。互耦合物理原理和相关的集总元素参数在图1中进行了示意性说明。（3）的发展，局部去耦电容器和IC通孔之间的相互耦合发生在电源和组件所连接的接地平面对以及耦合在每个组件的当前段之间穿过平面并连接到与件相对的平面上的。电容器和IC都位于电容器的同一侧板和接地层是较接近comFig的层。 2.测试板的几何形状（顶视图）。功率/接地平面对中的各个分量，则为局部去耦效应而利用的互感在每个组件的电源引脚之间，该引脚穿过接地层并连接到下部电源层。物理布局中与集总电路相关的部分模型。