可以将SMT去耦电容器包括在内使用空腔提取网络时的电路元件理论。 PEEC建模，其中包含大量电容器作为集总元素并均匀分布在多层PCB上与实验研究比较吻合。对于未放置在电容器附近的去耦电容器设备，包括电容器及其与电源的互连总线作为建模中的集总元素可以较好。但是，当去耦电容器靠近IC电源或接地引脚包括作为集总元件的接地引脚发生故障捕捉磁场耦合的基本物理学在IC和SMT电容器过孔之间。这种耦合导致来自两个通孔上电流的磁通链在电源和接地层之间。全波建模包括通孔和平面的部分对于详细说明量化所需的SMT去耦电容器的位置，靠近我知道了。先前的研究证明了FDTD建模的使用用于包括FR-4（PCB常用的玻璃/环氧树脂）和去耦电容器及其色散效应互连通孔。启东SMT贴片加工使用分层媒体进行PEEC建模还使用了绿色功能，包括FR-4以及去耦电容器和通孔互连。这项工作提出了证明减少的在某些情况下直流电源总线上的传输阻抗当SMT电容器靠近噪声注入时港口。这些研究为我们提供了贵的见解良好建模的基本物理学和方向并行平面直流电源总线，用于评估的设计方程式位于以下位置的SMT去耦电容器的性没有提供接近IC的功能。设计方程评估去耦电容器的性电源和接地层之间的距离的函数，SMT电容器与IC和互连的接近度本文开发了SMT电容器的电感。