MEMS制造完成后，0603封装通过以下方法将100 kO SMT电阻器安装在MEMS调谐器上非导电环氧树脂，电阻的连接是通过导电环氧树脂制成。这种连接方式全波EM（HFSS）与联电路模型的比较5个MEMS开关的单个MEMS存根，其中第四个MEMS开关处于下降状态：S11幅值和S11相位 METU RF MEMS工艺流程M.Unlu等。启东SMT贴片加工显示了所制造的SEM照片MEMS开关和阻抗调谐器。显示了混合阻抗调谐器的照片。5.测量结果制成的MEMS开关和混合阻抗调谐器使用Agilent 8720D矢量网络分析仪进行测量1–20 GHz的Cascade Summit 9000手动探针台SOLT校准的频段。 MEMS开关量测制成的MEMS开关的电路模型参数从S参数测量中提取。提取表1给出了参数与设计值的比较。提取的参数都接近设计值，除了上升态电容和CPW线路的损耗。由于MEMS的增加，减小了上状态电容桥高，通过光学轮廓仪测量来验证。损耗值a和a1; 2被提取为1.4和2.2 dB / cm，分别是由于金在金属层中的损耗正切增加耐热玻璃晶片。SMT-RF MEMS混合阻抗调谐器测量测量混合阻抗调谐器的S参数在1–20 GHz频带中用于5 5个开关组合。射频探头阻止DC探针落在每个探针个开关上存根;因此，对于较多交换机，这些交换机都保持在状态组合。