显示了为混合阻抗调谐器。设计的开关是电容式的，具有三个电容（Csb和两个电容）的并联MEMS开关与Cbg电容相比）具有单个并联电容的开关。这个开关选择拓扑是因为连接和偏置混合阻抗调谐器的要求。由于每个MEMS开关偏置，偏置电压应与中的电容耦合。启东SMT贴片这三个MEMS开关的电容都是可调的，并且在同一MEMS桥上实现。 MEMS领域开关为350 1024 mm2。显示了所设计的开关的电路模型。常规CLR中已其他组件电路模型，这对于评估性能比较的SMT电阻器与RF MEMS之间的混合连接开关。使用CLR电路模型进行考虑MEMS桥的宽度的RF MEMS开关。在电路模型中，Csb和Cbg s是常规的MEMS桥和CPW线之间的电容。通行证代表用于修补的立交桥的电容由DC偏置线界定的CPW接地。 1号线Line2和MEMS代表金属偏置连接到悬空接地连接的桥梁接地连接到CPW接地端。这些连接被建模为CPW线，其中信号线是金属偏置线，地线是CPW主线。至于中介绍的电路模型，列出了MEMS中使用的参数值开关设计，基本使用封闭形式计算公式。