在引线耦合强度范围内，C60 SMT中库仑斥力，近藤相关性和导电性的共存和竞争。启东SMT贴片加工与先前涉及碳管结的实验相反，此处的能谱是由分子大厦本身固定的，而不是由连接接触电的管的工程部分固定的。该实验为针对相敏测量以及导性与诸如富勒烯等磁性活性分子的相互作用铺平了道路。通过将门控磁性分子约瑟夫森（Josephson）薄弱环节整合到SQUID几何结构中，未来的工作可能指向分子Q位架构。

在液氦温度下，导线两端的偏置电压会逐渐升高，直到电迁移过程开始。初始约为100ΩΩ的设备电阻通常呈阶梯状增加，表明单个一维原子传导通道破裂。一旦器件电阻越过12.9kΩ，偏置电压将在微秒内。电迁移后，将结进一步冷却至低于0.1 K的温度。很多电迁移结中约有50％表现出具有低偏置电阻RK <Rj <1GΩ的隧穿传输行为。其中约有10％进一步显示了门相关信号，表示QD行为。众所周知，电迁移过程的高带宽控制可大大增加获得窄隧道结的产量。已经研究了两种类型的导电迁移结：铝电迁移结和邻近的导Al / Au结。在后者中，隧道结通过一条短的（L <150 nm）细金线打开，并与附近的较大的导铝源和漏焊盘相连