在基本温度和磁场的情况下，设备A的导电区域不与费米能相交：它们在简并点附近被约680µV的光谱源漏电压间隙Ω隔开。启东SMT贴片加工该间隙反映了接触电的准粒子光谱，是弱耦合至导电22的结构的典型特征。在这样的器件中，电流由能量| E |>Δ0的准粒子的非相干顺序隧穿控制（其中Δ0= 177μeV是铝的整体导间隙）。正如在S–S–S隧穿结构中所预期的那样，非导电区域的范围Ω接近4Δ0/ e（图1c，d）。 SMT中的源和漏触点在电迁移设备中通常具有很强的几何不对称性。在结构的铝中，导电性可以稳定到比散装材料高得多的场，铝颗粒21过3T。因此，我们可能期望每个联系人的关键字段都大不相同。如图1c所示：在Hc'= 40 mT以下，Ω从4Δ0/ e减小到大约2Δ0/ e，表明一根导线正常，而根导线中的导一直存在，直到结点Hc≈0.85T因此在中间场为N–QD–S类型。

为了增加与电的耦合（即，较高的电导率，假设恒定的不对称性和导电通道的数量），在低偏置电压下会发生共同激励，并通过低温下的近藤效应增加电导率。由于近藤效应，状态QD密度（DOS）的增加是由于接触中接近费米能的准粒子在点上跳变而产生的。